(Al) Ga InP材料的MOCVD生长研究

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(Al) Ga InP材料的MOCVD生长研究
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对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlXGa1-X)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。

Abstract:

TheMOCVD growth of Ga0. 5 In0. 5 P and (AlXCa1 - X ) 0. 5 In0. 5 P were investigated. The effects of the growth parameters such as growth temperature and the growth rate on the material quality were studied by DCXRD and PL measurements. The op timized growth parameters can be used for the fabrication of 650nm laser diodes.

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俞波,李建军,盖红星,牛南辉,邢艳辉,邓军,韩军.(Al) Ga InP材料的MOCVD生长研究[J].激光与红外,2005,35(3):
.[J]. LASER & INFRARED,2005,35(3):

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在线发布日期: 2005-05-22
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