GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

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GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究
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研究一种GaAlAs/ GaAs 材料的高功率半导体功率放大激光器(LD - SLA) 。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD) 与半导体功率放大器(SLA) 集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29 %、71 %提高到90 %以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命

Abstract:

A novel high power LD2SLA of GaAlAs/ GaAs maerial has been studied. Device is DHL structure of gain2guide and oxide2strripe. It uses direct coupling of the LD with the SLA. Output power has been amplified an order. High reflecting coatings and anti2reflective on the cavity surface of LD2SLA. The transmission coefficent and reflective coefficient have been changed respectively from 71 % and 29 % ,in the case of without coatings ,to above 90 %. By this ,the device cavity surface have been protected ,the output power increased.

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杨晓妍杨琏朱明方刘杰任大翠. GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究[J].激光与红外,2003,33(6):
.[J]. LASER & INFRARED,2003,33(6):

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在线发布日期: 2005-07-11
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