HgCdTe微台面红外焦平面技术研究

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HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
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文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 ×256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5. 0μm。

Abstract:

A newMW IR 320 ×256 HgCdTe micro2mesa device fabricated by LPE Ptype HgCdTe film growth, Bion-imp lantation, deep mesa dry-etching, side-wall passivation and metallization technologies are reported. The pixel pitch is only 30μm, and the cut-off wavelength is 5. 0μm.

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朱西安孙浩王成刚胡小燕刘明. HgCdTe微台面红外焦平面技术研究[J].激光与红外,2005,35(11):
.[J]. LASER & INFRARED,2005,35(11):

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在线发布日期: 2006-01-25
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