半导体功率放大激光器耦合效率的研究
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    摘要:

    通过对波长808nm的GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32. 6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。

    Abstract:

    The properties of coatings have been analysed theoretically and experimentally throughout the deposition process of SiO antireflection films on facets of GaAlAs/GaAs laserwith semiconductor power amplification, and with a wavelength of 808 nm. The transmissivities of cavity faces have been increased from 69% and 32. 6% without coatings to above 90% and 80%with coatings. The coupling efficiency of device, output power of laser and operating lifetime have been imp roved.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

杨 琏 杨晓妍 朱明方 刘 丹 王征宇 李松柏 王.半导体功率放大激光器耦合效率的研究[J].激光与红外,2006,36(10):
.[J]. LASER & INFRARED,2006,36(10):

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  • 在线发布日期: 2006-12-01
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