InGaAsP/InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究
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Study on the Coupling of Laser with InGaAsP/InP Semiconductor Power Amplification
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    摘要:

    通过对波长1.3μm InGaAsP/InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。

    Abstract:

    The properties of coatings have been analysed theoretically and experimentally throughout the deposition process of SiO antireflection films on facets of 1.3μm InGaAsP/InP laser with semiconductor power amplification.The transmissivities of cavity faces have been increased from 69% and 32.6% without coatings to above 90% and 80% with coatings.The coupling efficiency of device,output power of laser and operating lifetime have been improved.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

杨琏,杨晓妍,王征宇,李松柏,王安锋,薄报学. InGaAsP/InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究[J].激光与红外,2008,38(3):214~215
YANG Lian, YANG Xiao-yan, WANG Zheng-yu, LI Song-bai, WANG An-feng, BO Bao-xue. Study on the Coupling of Laser with InGaAsP/InP Semiconductor Power Amplification[J]. LASER & INFRARED,2008,38(3):214~215

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