Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料

首页 > 过刊浏览>2008年第38卷第8期 >754-756

Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料
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基金项目:国家自然科学基金（No.60676039）;国家“863”计划（No.2007AA06z112);博士点基金（No.20060183030);吉林省科委的资助

Type Ⅱ InAs/GaInSb Superlattices Material for Infrared Detector

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综述了近年来对InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果，给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs/GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3~25μm，有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe。

Abstract:

In this paper,recent research results for type Ⅱ InAs/GaInSb superlattices material will be reviewed.The dependence of energy gap on layer widths and alloy concentration is presented.The energy gap of type Ⅱ InAs/GaInSb superlattices material can be tuned to respond to wavelengths in the 3~25μm regime.It will also likely be an attractive alternative to HgCdTe for LWIR and VLWIR applications.

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殷景志,高福斌,马艳,纪永成,赵强,王一丁,汤艳娜,索辉,杜国同.Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料[J].激光与红外,2008,38(8):754~756
YIN Jing-zhi, GAO Fu-bin, MA Yan, JI Yong-cheng, ZHAO Qiang, WANG Yi-ding, TANG Yan-na, SUO Hui, DU Guo-tong. Type Ⅱ InAs/GaInSb Superlattices Material for Infrared Detector[J]. LASER & INFRARED,2008,38(8):754~756

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