碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究
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A Study of MCT Contact Hole Etching by ICP Process
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    介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。

    Abstract:

    This paper gives a brief introduction to the ICP etching process & equipment.All the parameters which influence the etching profile of contact hole are detailedly discussed.The final etching parameters are given after a series of experiments.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

李震,胡小燕,史春伟,朱西安.碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究[J].激光与红外,2008,38(12):1211~1214
LI Zhen, HU Xiao-yan, SHI Chun-wei, ZHU Xi-an. A Study of MCT Contact Hole Etching by ICP Process[J]. LASER & INFRARED,2008,38(12):1211~1214

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