InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究

首页 > 过刊浏览>2009年第39卷第4期 >411-414

InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究
DOI:
                        
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:
作者简介:
通讯作者:
中图分类号:
基金项目:中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(No.B2-1,C2-32)资助

InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究Fabrication of InGaAs Detector Using ICP Etching Method

Author:

Affiliation:

Fund Project:

摘要

图/表

访问统计

参考文献

相似文献

引证文献

资源附件

文章评论

摘要:

采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺。利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器，峰值探测率为1.04×1012cmHz1/2W-1。

Abstract:

Inductively coupled plasma (ICP) etching of InP/In0.55Ga0.45As/InP was performed using Cl2/BCl3/Ar.The effect of gas content,dc bias and ICP power on etch rate and surface morphology was discussed.A stable dry etch technique was obtained with clean and smooth etch surface,good pattern profile,good uniformity and high etch rate.8×1 elements mesa InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN) detector arrays were fabricated and the mean peak detectivity is 1.04×1012 cmHz1/2W-1.

参考文献

相似文献

引证文献

引用本文

宁锦华,唐恒敬,张可锋,李淘,李永富,李雪,龚海梅. InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究[J].激光与红外,2009,39(4):411~414
NING Jin-hua, TANG Heng-jing, ZHANG Ke-feng, LI Tao, LI Yong-fu, LI Xue, GONG Hai-mei. InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究Fabrication of InGaAs Detector Using ICP Etching Method[J]. LASER & INFRARED,2009,39(4):411~414

复制

文章指标

点击次数:
下载次数:
HTML阅读次数:
引用次数:

历史

收稿日期:
最后修改日期:
录用日期:
在线发布日期:
出版日期:

引用本文

分享

文章指标

历史