碲镉汞雪崩光电二极管发展现状
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Status of HgCdTe avalanche photodiode arrays
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    碲镉汞雪崩光电二极管探测器具有高增益、高带宽和低噪声因数的显著特点,具有下一代焦平面探测器阵列的多功能、主动/被动探测、双波段和高灵敏度等理想特性,在低光通量探测、超光谱、二维/三维成像方面显示出强大的应用潜力。本文简要介绍了碲镉汞雪崩光电二极管主要器件结构、特点及应用现状。

    Abstract:

    HgCdTe Avalanche Photodiode array is a promising device with high gain,high bandwidth and low noise factor,it can provide very high performance multipling and detecting of IR photon signal in device level for the next generation of active/passive IR sensor system.This paper introduces the main APD device structures and their applications.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

刘兴新.碲镉汞雪崩光电二极管发展现状[J].激光与红外,2009,39(9):909~913
LIU Xing-xin. Status of HgCdTe avalanche photodiode arrays[J]. LASER & INFRARED,2009,39(9):909~913

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