InSb（111）、（211）及（110）晶面腐蚀极性研究

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InSb（111）、（211）及（110）晶面腐蚀极性研究
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Effect of the polarity of InSb (111),(211) and (110) planes on etching

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极性是InSb晶体结构的一种属性，文中研究了这种极性对InSb晶片湿法腐蚀的影响，并对这种极性产生的原因进行了分析。结果表明，对于工艺中常用的CP4腐蚀液，（111）及(211)晶面腐蚀时表现出极性，（111）A面平均腐蚀速率为2.2 μm/s，(111)B面的平均腐蚀速率为3.6 μm/s;(211)A面的平均腐蚀速率为3 μm/s，(211)B面的平均腐蚀速率为4.8 μm/s；而(110)晶面在腐蚀时未表现出极性效应，只存在一种腐蚀速率为4 μm/s。

Abstract:

InSb is a typical AⅢBⅤ semiconducting compound which contains a polar axis.In this paper,effect of the polarity of InSb on etching has been studied.The cause of the effect on etching has been analyzed.Experiment results indicate different etching rates for (111) and(211) planes with CP4 etchant.The etch rate for (111)A planes is 2.2 μm/s and 3.6 μm/s for (111)B planes.The etch rate for (211)A planes is 3 μm/s and 4.8 μm/s for (211)B planes.However,effect of the polarity on etching has not been shown for (110) planes.The etch rate of the (110) planes is 4 μm/s.

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引用本文

马攀,陈湘伟,司俊杰. InSb（111）、（211）及（110）晶面腐蚀极性研究[J].激光与红外,2009,39(10):1078~1081
MA Pan, CHEN Xiang-wei, SI Jun-jie. Effect of the polarity of InSb (111),(211) and (110) planes on etching[J]. LASER & INFRARED,2009,39(10):1078~1081

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