适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术

首页 > 过刊浏览>2010年第40卷第3期 >257-259

适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术
DOI:
                        
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:
作者简介:
通讯作者:
中图分类号:
基金项目:

Image-reversal dual layer photolithography technology for thick film lift-off

Author:

Affiliation:

Fund Project:

摘要

图/表

访问统计

参考文献

相似文献

引证文献

资源附件

文章评论

摘要:

介绍了一种适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术，采用图形反转胶和正型光刻胶，选择合适的光刻工艺形成了光刻胶“倒梯形”的剖面结构，可以成功剥离与胶层厚度相同的膜层，厚度可达13 μm。同时对一些技术机理和关键工艺条件进行了讨论。

Abstract:

The paper introduced the image-reversal dual layer photolithography technology that is suitable for thick film lift-off.The reverse trapeziform shape of resist was made by coating a image-reversal resist layer on a thicker positive resist layer,this technology can achieve the 13 μm thick film lift-off without high edge.And some mechanism problems are discussed.

参考文献

相似文献

引证文献

引用本文

郭喜,支淑英,杨春莉,巩爽.适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术[J].激光与红外,2010,40(3):257~259
GUO Xi, ZHI Shu-ying, YANG Chun-li, GONG Shuang. Image-reversal dual layer photolithography technology for thick film lift-off[J]. LASER & INFRARED,2010,40(3):257~259

复制

文章指标

点击次数:
下载次数:
HTML阅读次数:
引用次数:

历史

收稿日期:
最后修改日期:
录用日期:
在线发布日期:
出版日期:

引用本文

分享

文章指标

历史