偏置电压对日盲型AlGaN探测器性能的影响
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中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(No.A-6)资助


Effects of bias voltage on the performance of solar-blinded AlGaN
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    摘要:

    偏置电压对AlGaN器件有两方面的影响,一方面偏置电压会对内部两级放大器各MOS管的工作状态产生影响,在应用中应合理地设置使各管工作在恰当状态;另一方面偏置电路上叠加的纹波也是一种噪声源,会耦合到探测器的输出。本文首先是理论推导影响输出的各种因素,再利用spice模型仿真单元运放偏置电压Vbias、参考电压Vref、正电源Vdd、地Vss对读出噪声的贡献,最后结合实际图像,直观地表现偏置电压对图像的影响。从而对探测器读出电路设计者和日盲型AlGaN探测器的应用者提供合理的设计和配置原则。

    Abstract:

    Bias voltage setting have two effects on AlGaN detector,at one set it decide the working status of MOS transistors of the internal two-stage amplifier ;at the other set the ripple wave superimposed on DC can be consider as another noise source,which can coupled to the output of detector.This paper start with factors which may influence the output by theoretical derivation,and then simulate the controbution of single pixel internal op-amplifier bias voltage,reference voltage,power Vdd,power GND to readout noise with spice model,at last show some pictures under different bias voltage settings.All the work aim at supply a suitable,feasible design and configure rules for the ROIC design and detector applier.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

林言成,肖功海,舒嵘.偏置电压对日盲型AlGaN探测器性能的影响[J].激光与红外,2010,40(3):260~263
LIN Yan-cheng, XIAO Gong-hai, SHU Rong. Effects of bias voltage on the performance of solar-blinded AlGaN[J]. LASER & INFRARED,2010,40(3):260~263

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