激活退火对As掺杂型HgCdTe材料的影响
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国家自然科学基金项目(No.60876012,No.60606026)资助


Effect of As-doped activation annealing on HgCdTe
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    研究了激活退火热处理过程对As掺杂碲镉汞外延材料组分的影响,实验包括不同的热处理条件以及不同厚度外延材料,并用红外透射光谱测量了退火前后材料组分的变化。实验结果表明,在相同温度和相同时间的热处理条件下,外延层的厚度越厚,热处理对材料组分的影响越小;在相同温度不同时间的热处理过程中,随着时间增加,材料的组分变化也随之增加,并且,外延层越厚,组分的变化量也越小。

    Abstract:

    Effect of activation annealing on composition of As-doped HgCdTe epilayers was studied,the experiment was done on different heat treatment conditions and on epilayer with different thickness,and the infrared transmission spectra measurement was used to compare the composition change of epilayer before and after the annealing process.It is shown that the thicker of the epilayer,the slighter influence of activation anneal on the epilayer composition on the same annealing condition,at the same annealing temperature,the composition increases gradually with the annealing time and smaller composition change was observed in thicker epilayer.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

李艳鹏,张传杰,徐庆庆,魏彦锋,杨建荣.激活退火对As掺杂型HgCdTe材料的影响[J].激光与红外,2010,40(5):506~510
LI Yan-peng, ZHANG Chuan-jie, XU Qing-qing, WEI Yan-feng, YANG Jian-rong. Effect of As-doped activation annealing on HgCdTe[J]. LASER & INFRARED,2010,40(5):506~510

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