GaN基紫外数字像素光电传感器设计与实现
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国家自然科学基金项目(No.60807037,No.60708028)资助


Design and implementation of GaN-based UV digital pixel sensor
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    摘要:

    介绍了一种为了获得高速高性能的GaN基紫外数字像素光电传感器的设计和实现。该传感器每个像素单元面积为50 μm×50 μm,包含一个UV光电探测器,一个1位比较器和一个3 T的存储单元,能同时完成对所有像素的A/D转换。像素内比较器电路中引入了一个自动复位电路用以实现数字相关双采样功能,并可以增加峰值信噪比以及动态范围。电路采用CSMC DPTM 0.5 μm CMOS工艺流片实现,初步的功能实验结果验证这一数字传感器能正常工作。

    Abstract:

    The design and implementation of a GaN-based UV digital pixel photoelectric sensor for high speed and high performance is presented.The pixel occupies an area of 50 μm×50 μm and includes a UV photodiode,a 1-bit comparator and a 3 T memory cell.In the sensor the A/D conversion can simultaneously be performed for all pixels.An automatic reset circuit is introduced in each pixel comparator circuit and it can increase the peak signal to noise ratio and dynamic range by digital correlated double sampling operation.The DPS ADC circuits are implemented by CSMC DPTM 0.5 μm CMOS process,and the initial function test results verify that the digital sensor can work properly.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

张文静,包西昌,王玲,袁永刚,李向阳. GaN基紫外数字像素光电传感器设计与实现[J].激光与红外,2010,40(9):993~996
ZHANG Wen-jing, BAO Xi-chang, WANG Ling, YUAN Yong-gang, LI Xiang-yang. Design and implementation of GaN-based UV digital pixel sensor[J]. LASER & INFRARED,2010,40(9):993~996

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