长波640×512元GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器的研制
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Development of long-wavelength 640×512 quantum well infrared photodetector focal plane array
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    摘要:

    量子阱红外探测器由于具有更高的材料均匀性和成品率,是红外探测技术研究的重点方向之一。本文通过突破材料外延、器件制备工艺、读出电路设计以及倒装互连等关键工艺技术,研制了长波640×512元GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器。77 K下,器件的平均黑体响应率Rv为1.4×107 V/W,峰值探测率Dλ*为6.2×109 cm Hz1/2W-1,器件的盲元率达到了0.87%,响应率不均匀性5.8%,并在77 K下对探测器进行成像演示。

    Abstract:

    Quantum well infrared photodetector(QWIP)is an important direction in infrared detector research,for its excellent uniformity and high yield.After solving key technology such as material epitaxy,preparation of device,design of read-out circuit and flip-chip bending,long wavelength 640×512 GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared photodetctor(QWIP)was developed.At 77 K,the average blackbody responsibility Rv is 1.4×107 V/W,and the peak blackbody detectivity Dλ* is 6.2×109 cm Hz1/2W-1.The ratio of dead pixels is 0.87%,and the non-uniformity of responsibility is 5.8%.The infrared image of focal plane array is presented at 77 K.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

胡小燕,周立庆,于艳,杜鹏,谭振,王南,孙海燕.长波640×512元GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器的研制[J].激光与红外,2010,40(11):1220~1223
HU Xiao-yan, ZHOU Li-qing, YU Yan, DU Peng, TAN Zhen, WANG Nan, SUN Hai-yan. Development of long-wavelength 640×512 quantum well infrared photodetector focal plane array[J]. LASER & INFRARED,2010,40(11):1220~1223

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