高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件
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国家自然科学基金(No.60707018);西部之光(No.2005ZD01)资助


Facture of high responsivity GaAs-MSM optoelectronic self-mixing array
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    采用LP-MOCVD方法生长并制作了GaAs基底肖特基势垒的MSM光电自混频器件。器件为面阵式结构,象元数目为32×32。对器件的光电参数进行测试分析,器件的响应度在偏压为3 V时,达到8.25 A/W,暗电流小于18 nA,对应的光电流密度为59.1 μA/cm2,单点饱和输入光功率为1 μW。测试瞬态响应,器件响应峰值上升沿为212 ps,半峰宽372 ps,对应响应频率大于1.65 GHz,具有很好的应用前景。

    Abstract:

    This paper reports a metal-semiconductor-metal(MSM)Schottky photodiode (MSM-PD)array as an optoelectronic self-mixer factured on the extension layer which is grown on GaAs by using low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD)method.There are 32×32 pixels in the device.Measured at 3 V biasing voltage,the responsivity of the device is 8.25 A/W,the dark current is under 18 nA,the consistency of photocurrent is 59.1 μA/cm2 and the input saturated power of light is 1 μW.Measuring the response to pulses,the risetime is 212 ps and the Full Wave at Half Maximum(FWHM)is 372 ps,so the corresponding 3-dB bandwidth is 1.65 GHz.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

张立臣,汪韬,尹飞,杨瑾,胡雅楠.高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件[J].激光与红外,2011,41(8):925~928
ZHANG Li-chen, WANG Tao, YIN Fei, YANG Jin, HU Ya-nan. Facture of high responsivity GaAs-MSM optoelectronic self-mixing array[J]. LASER & INFRARED,2011,41(8):925~928

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