化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究

首页 > 过刊浏览>2012年第42卷第7期 >778-780

化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究
DOI:
                        
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:
作者简介:
通讯作者:
中图分类号:
基金项目:

Surface-flattening method research of compound semiconductor HgCdTe material

Author:

Affiliation:

Fund Project:

摘要

图/表

访问统计

参考文献

相似文献

引证文献

资源附件

文章评论

摘要:

研究了一种去除碲镉汞液相外延（LPE）薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示，利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹，获得较好的平坦化表面，提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。

Abstract:

The article studies a method that can be used to remove the ripple in the surface of liquid-phase expitaxy（LPE）HgCdTe film material.The fabricated device shows that the method is effective for removing the ripple of HgCdTe film,obtaining good surface flatness and the flip chip bonding efficiency had been remarkably improved for large infrared focal plane arrays.

参考文献

相似文献

引证文献

引用本文

李春领,何铁生,侯晓敏,秦艳红,王春红.化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究[J].激光与红外,2012,42(7):778~780
LI Chun-ling, HE Tie-sheng, HOU Xiao-min, QIN Yan-hong, WANG Chun-hong. Surface-flattening method research of compound semiconductor HgCdTe material[J]. LASER & INFRARED,2012,42(7):778~780

复制

文章指标

点击次数:
下载次数:
HTML阅读次数:
引用次数:

历史

收稿日期:
最后修改日期:
录用日期:
在线发布日期:
出版日期:

引用本文

分享

文章指标

历史