GaN基紫外探测器发展概况
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Development overview of GaN-based ultraviolet detector
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    基于宽禁带半导体材料的GaN基紫外探测器由于具有探测波长可调、工艺兼容性好、结构可多型化等优点,已成为近年来的研究热点。介绍了四种不同结构类型的紫外探测器:光导型、肖特基势垒、金属-半导体-金属、p-i-n结,并回顾了GaN基紫外探测器的的研究历程。

    Abstract:

    GaN-based wide bandgap semiconductor ultraviolet detector has become a research hotspot in recent years due to its many advantages such as adjustable response wavelength,good process compatibility and diverse structure applicability.This paper introduces four different types of UV detector:photoconductor,Schottky,MSM and p-i-n.The history of GaN-based ultraviolet detector is reviewed and discussed.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

刘万金,胡小燕,喻松林. GaN基紫外探测器发展概况[J].激光与红外,2012,42(11):1210~1214
LIU Wan-jin, HU Xiao-yan, YU Song-lin. Development overview of GaN-based ultraviolet detector[J]. LASER & INFRARED,2012,42(11):1210~1214

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