基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取
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Low temperature MOSFET model and parameter extraction based on BSIM3
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    摘要:

    器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义。本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K)BSIM3模型的参数提取。同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤。

    Abstract:

    Device model as interface between IC process and design are very important for ensuring a successful IC design. The theory of BSIM3 is presented, and model parameters under low temperature (77K) are extracted. Meanwhile, the details of parameter extraction software are introduced and discussed.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

邓旭光.基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取[J].激光与红外,2013,43(9):1051~1054
DENG Xu-guang. Low temperature MOSFET model and parameter extraction based on BSIM3[J]. LASER & INFRARED,2013,43(9):1051~1054

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