基于三代红外探测器的一种新型材料——硒镉汞
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New material for the third generation of IRFPA—HgCdSe
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    介绍了一种新型的红外探测器材料硒镉汞(HgCdSe)的最新研究进展,以及其所使用的衬底材料ZnTe/Si(211)和GaSb(211)的最新研究情况。通过与碲镉汞(HgCdTe)材料的对比可看出,硒镉汞材料的性能优良,比碲镉汞性能更稳定、更易生长,并且有较为成熟的衬底材料,辅以在同是汞基材料-碲镉汞上面所取得的生长经验,有望成为替代碲镉汞的下一代红外探测材料,极具应用前景。

    Abstract:

    The recent development of a new type of Hg-based infrared material-HgCdSe is introduced,and the up-to-date research progress of its substrates including ZnTe/Si (211) and GaSb (211) is presented. Compared with HgCdTe,HgCdSe has higher performance,and its growth is easier,meanwhile it has mature substrate. It is considered that HgCdSe has the potential to be a powerful infrared material for the next generation detectors.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王经纬, 巩锋.基于三代红外探测器的一种新型材料——硒镉汞[J].激光与红外,2013,43(10):1089~1094
WANG Jing-wei, GONG Feng. New material for the third generation of IRFPA—HgCdSe[J]. LASER & INFRARED,2013,43(10):1089~1094

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