锑化铟离子注入退火技术研究

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锑化铟离子注入退火技术研究
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Study on InSb ion implantation annealing technology

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摘要:

对锑化铟（InSb）铍离子（Be+）注入后的快速退火技术进行了研究，并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验，通过测试其PN结I-V特性，对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响，确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结，并对试验结果进行了分析。

Abstract:

Rapid thermal annealing of InSb ion implantation of Be is studied，and experiments of different annealing temperatures and annealing time are made.Through the I-V test of PN junctions，effects of different annealing conditions on PN junctions are compared.PN junctions of high quality can be acquired under the exclusive given annealing condition，the experiment results are analyzed.

参考文献

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引用本文

李海燕,杜红艳,赵建忠.锑化铟离子注入退火技术研究[J].激光与红外,2013,43(12):1372~1375
LI Hai-yan, DU Hong-yan, ZHAO Jian-zhong. Study on InSb ion implantation annealing technology[J]. LASER & INFRARED,2013,43(12):1372~1375

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在线发布日期: 2013-12-31
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