InAs/GaSb II型超晶格红外探测器的研究进展
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Research progress of InAs/GaSb type II super-lattice infrared detector
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    InAs/GaSb II型超晶格材料理论上性能优于HgCdTe、InSb等红外探测材料,基于成熟的III-V族化合物材料与器件工艺,使得II型超晶格材料容易满足均匀大面阵、双色或多色集成等红外探测器的要求,因而InAs/GaSb II型超晶格材料将逐步替代HgCdTe、InSb等材料成为第三代红外探测器的首选材料。本文阐述了InAs/GaSb超晶格红外探测器的基本原理、以及材料生长和器件结构,并对其研究进展进行了综述性介绍。

    Abstract:

    InAs/GaSb type II super-lattice is a novel infrared material with the theoretical promise of better performance than MCT and InSb. In view of the maturity of III-V compound materials growth and device technology,it is easy to obtain InAs/GaSb type II super-lattice material for uniform large formats and dual/multiple color infrared detectors. At present,InAs/GaSb type II super-lattice material is regarded as a primary material for the third generation infrared detectors,which may gradually replace MCT and InSb. The basic theory,the research on materials growth and device structure of InAs/GaSb type II super-lattice infrared detector are presented. Research progress of InAs/GaSb type II super-lattice infrared detector is summarized.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

宋淑芳,巩锋,周立庆. InAs/GaSb II型超晶格红外探测器的研究进展[J].激光与红外,2014,44(2):117~121
SONG Shu-fang, GONG Feng, ZHOU Li-qing. Research progress of InAs/GaSb type II super-lattice infrared detector[J]. LASER & INFRARED,2014,44(2):117~121

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  • 在线发布日期: 2014-02-25
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