VGF法生长半导体晶体的研究进展

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VGF法生长半导体晶体的研究进展
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Research progress of semiconductor crystal growth by VGF method

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VGF法可实现晶体生长条件可控,晶体重复性好,所生长晶体尺寸大、位错密度低、应力小,是一种很有前景的晶体生长方法。本文综述了VGF法生长半导体晶体、数值模拟和磁场应用的国内外研究进展。

Abstract:

As VGF method has the advantages of accurate control and high repeatability,in addition,a single crystal with large diameter,low dislocation density and small tress can be growth by VGF method,it has good application prospect.In this paper,research progress of crystal growth,numerical simulation and magnetic application by VGF method is reported.

参考文献

相似文献

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引用本文

范叶霞. VGF法生长半导体晶体的研究进展[J].激光与红外,2015,45(5):476~482
FAN Ye-xia. Research progress of semiconductor crystal growth by VGF method[J]. LASER & INFRARED,2015,45(5):476~482

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在线发布日期: 2015-05-20
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