碲镉汞材料双面平坦化工艺研究

首页 > 过刊浏览>2017年第47卷第8期 >992-995

碲镉汞材料双面平坦化工艺研究
DOI:
                        
                    
作者:
                        
                        
                    
作者单位:
作者简介:
通讯作者:
中图分类号:
基金项目:国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助

Study on double-surface flattening process of HgCdTe material

Author:

Affiliation:

Fund Project:

摘要

图/表

访问统计

参考文献

相似文献

引证文献

资源附件

文章评论

摘要:

通过对30 mm×25 mm尺寸的碲镉汞材料和器件进行双面平坦化工艺,使其平面度达到与Si读出电路互连要小于2 μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互连成品率。、

Abstract:

The HgCdTe material with the size of 30 mm×25 mm is processed by the double-surface flattening process.After processing,the total thickness variation(TTV) is lower than 2 μm,which meets the demand of Si ROIC flip chip,and the flip chip bonding yield of MW1280×1024 focal plane arrays(FPA) is remarkably improved.

参考文献

相似文献

引证文献

引用本文

李春领,王春红,秦艳红.碲镉汞材料双面平坦化工艺研究[J].激光与红外,2017,47(8):992~995
LI Chun-ling, WANG Chun-hong, QIN Yan-hong. Study on double-surface flattening process of HgCdTe material[J]. LASER & INFRARED,2017,47(8):992~995

复制

文章指标

点击次数:
下载次数:
HTML阅读次数:
引用次数:

历史

收稿日期:
最后修改日期:
录用日期:
在线发布日期: 2017-08-29
出版日期:

引用本文

分享

文章指标

历史