偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究

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偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究
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基金项目:国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助

Study on composite substrate of CdTe and Si(211)with tilt angle

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摘要:

晶面偏角是提高(211) Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向。

Abstract:

The tilt angle of crystal plane is one method for improving the crystal quality of composite substrate of CdTe and Si(211).The influence of tilt angle on CdTe/Si composite substrate is studied,and it is found that crystal quality of composite substrate of CdTe and Si(211) with 2° and 3° tilt angle is superior to that of standard composite substrate of CdTe and Si(211).

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引用本文

王丛,高达,王经纬,强宇,周立庆.偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究[J].激光与红外,2018,48(7):876~879
WANG Cong, GAO Da, WANG Jing-wei, QIANG Yu, ZHOU Li-qing. Study on composite substrate of CdTe and Si(211)with tilt angle[J]. LASER & INFRARED,2018,48(7):876~879

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在线发布日期: 2018-08-08
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