10 μm小间距红外探测器的铟柱生长研究

首页 > 过刊浏览>2020年第50卷第10期 >1218-1222

10 μm小间距红外探测器的铟柱生长研究
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Indium bump evaporation research on IR detector of 10 μm pixel distance

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摘要:

在10 μm小间距的条件下进行红外探测器的铟柱生长工艺,会得到铟柱高度不足的结果；本文针对这种情况,开展了小间距的铟柱生长研究,比较了在不同基片温度和蒸发速率条件下的铟柱高度,并分析了试验结果,得到了最优的生长工艺条件。

Abstract:

The growth process of indium column in infrared detector with small spacing of 10um will result in the indium column with insufficient height.In view of this situation,the indium column with small spacing was studied in this paper,and the indium column height under different substrate temperature and evaporation rate was compared,and the test results were analyzed to obtain the optimal growth process conditions.

参考文献

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引用本文

张鹏,李乾.10 μm小间距红外探测器的铟柱生长研究[J].激光与红外,2020,50(10):1218~1222
ZHANG Peng, LI Qian. Indium bump evaporation research on IR detector of 10 μm pixel distance[J]. LASER & INFRARED,2020,50(10):1218~1222

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在线发布日期: 2020-10-28
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