分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究

doi:10.3969/j.issn.1001-5078.2023.09.012

首页 > 过刊浏览>2023年第53卷第9期 >1384-1387. DOI:10.3969/j.issn.1001-5078.2023.09.012

分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究
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                        10.3969/j.issn.1001-5078.2023.09.012
                    
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Research on molecular beam epitaxygrowth HgTe/CdTe superlattice

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报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激活的原位As掺杂碲镉汞材料。

Abstract:

In this paper,molecular beam epitaxy (MBE) growth of HgTe/CdTe superlattices structure related technology is introduced.As doping with HgTe/CdTe superlattice structure is one of the technical paths to reduce the activation temperature of as doped HgCdTe.HgTe/CdTe superlattice materials are obtained on 3 inch silicon substrates by molecular beam epitaxy,and activated in situ As doped HgCdTe materials are obtained by low temperature annealing at 250℃.

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高达,李震,贺融,王丹,邢伟荣,王丛,折伟林.分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究[J].激光与红外,2023,53(9):1384~1387
GAO Da, LI Zhen, HE Rong, WANG Dan, XING Wei-rong, WANG Cong, SHE Wei-lin. Research on molecular beam epitaxygrowth HgTe/CdTe superlattice[J]. LASER & INFRARED,2023,53(9):1384~1387

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最后修改日期:2022-11-15
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在线发布日期: 2023-09-18
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